Samsung Electronics anuncia la producción en masa de de su primera generación de DRAM LPDDR4X de 10 nanómetros y 8 gigabytes para teléfonos móviles que por primera vez en su tipo llega a los 16 gigabits de velocidad. Esta nueva DRAM LPDDR4X tiene como fin mejorar la eficiencia y el consumo de las baterías pertenecientes a los smartphones «premium» y otras aplicaciones móviles. En comparación con otros chips DRAM móviles, el de Samsung logra reducir la energía hasta un 10% mientras se mantiene la velocidad de 4.266 megabits por segundo.
En este sentido, la marca surcoreana comenzó la producción masiva de DRM DDR4 de 8 gigabytes y 10 nanómetros el pasado mes de noviembre, hasta llegar al actual LPDDR4X de 16 gigabits en la actualidad. En esta línea, Samsung ha comenzado la fabricación de un paquete DRAM móvil LPDDR4X de 8 gigabytes que combina cuatro chips de 2 gigabytes cada uno, alcanzando una velocidad de datos de 34,1 gigabytes por segundo y un 20% menos de grosor, lo que posibilita a los fabricantes la creación de terminales más delgados pero más efectivos.
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