Intel y Micron han presentado la nueva tecnología 3D XPoint, una memoria no volátil que según sus creadores tiene el potencial de revolucionar cualquier dispositivo, aplicación o infraestructura digital que requiera un rápido acceso a grandes conjuntos de datos.
Intel afirma que este nuevo tipo de memoria ya está en producción y supone la primera gran revolución en almacenamiento tras la llegada de las memorias flash NAND en 1989.
Según Intel, su nueva tecnología 3D XPoint no requiere de transistores y combina las ventajas de rendimiento, densidad, energía, no volatilidad y coste de todas las tecnologías de memoria disponibles actualmente en el mercado.
La tecnología es hasta 1.000 veces más rápida y posee hasta 1.000 veces mayor resistencia que la NAND, y es 10 veces más densa que la memoria convencional.
Según Rob Crooke, vicepresidente sénior y director general del Grupo de Soluciones de Memoria No Volátil de Intel, “Durante décadas, la industria ha buscado formas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido. Esta nueva clase de memoria no volátil logra este objetivo y ofrece un rendimiento que cambia las reglas del juego de las soluciones de memoria y almacenamiento.”
En la medida en que el mundo digital crece rápidamente, la tecnología 3D XPoint puede convertir esta inmensa cantidad de datos en información valiosa en nanosegundos. Según sus creadores, los retailers pueden utilizar la tecnología 3D XPoint para identificar más rápidamente los patrones de detección de fraude en las transacciones financieras; los investigadores del ámbito sanitario podrán procesar y analizar grandes conjuntos de datos en tiempo real, realizando en menos tiempo tareas complejas tales como el análisis genético y el seguimiento de enfermedades.
Origen: Intel anuncia una memoria 1.000 más rápida que la flash actual
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