Nueva memoria de Samsung es siete veces más rápida y con doble ancho de banda que la GDDR5

Samsung ha arrancado el 2016 con fuerza, principalmente la división encargada de la fabricación de chips, ya que hace unos días confirmaba que serían los encargados de fabricar en exclusiva el Snapdragon 820 de Qualcomm, y de acuerdo a rumores están por cerrar un acuerdo de colaboración con AMD, pero ahora anuncian que han empezado con la producción de sus nuevos chips de memoria.

La importancia de esto radica en que no se trata de una simple actualización a los chips de memoria, sino que estamos ante un avance que nos pone ante un escenario donde cada chip será capaz de proporcionar una velocidad de hasta 256 GBps (sí, gigabytes), es decir, siete veces más rápido y con el doble de ancho de banda por vatio que los chips GDDR5.

Origen: La nueva memoria de Samsung es siete veces más rápida y con doble ancho de banda que GDDR5

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